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2N3670中文资料

  • 大小:229.37KB
  • 厂家:GE [General Semiconductor]
  • 描述:12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:SCR
  • 最大转折电流 IBO:200 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):2 mA
  • 正向电压下降:1.8 V
  • 栅触发电压 (Vgt):2 V
  • 栅触发电流 (Igt):40 mA
  • 保持电流(Ih 最大值):50 mA
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-3
  • 工厂包装数量:20

2N3670供应商

更新时间:2023-01-04 02:16:38
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